制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息 技术:Si封装 / 箱体:TO-220-3 FP安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:1.9 V栅极/发射极电压:+/- 20 VPd-功率耗散:20 W工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 C系列:STGF6NC60HD封装:Tube集电极连续电流 Ic:6 A 高度:9.3 mm 长度:10.4 mm 宽度:4.6 mm 商标:STMicroelectronics 集电极连续电流:6 A 栅极—射极漏泄电流:100 nA CNHTS:8541210000 HTS Code:8541290095 MXHTS:85412101 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:1000 子类别:IGBTs TARIC:8541210000 单位重量:2.300 g