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STGW30NC60WD STMicroelectronics IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT
发布时间： 2019/3/4 17:03:55 | 260 次阅读
制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息 技术:Si封装 / 箱体:TO-247-3安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:2.1 V栅极/发射极电压:+/- 20 VPd-功率耗散:200 W工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 C系列:STGW30NC60WD封装:Tube集电极连续电流 Ic:60 A 高度:20.15 mm 长度:15.75 mm 宽度:5.15 mm 商标:STMicroelectronics 集电极连续电流:30 A 栅极—射极漏泄电流:100 nA CNHTS:8541210000 HTS Code:8541290095 MXHTS:85412101 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:600 子类别:IGBTs TARIC:8541210000 单位重量:38 g
