制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:51 ARds On-漏源导通电阻:60 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:25 V工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:350 W配置:Single通道模式:Enhancement封装:Tube高度:20.15 mm 长度:15.75 mm 系列:STW55NM60ND 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:5.15 mm 商标:STMicroelectronics CNHTS:8541290000 下降时间:96 ns HTS Code:8541290095 MXHTS:85423199 产品类型:MOSFET 上升时间:68 ns 工厂包装数量:600 子类别:MOSFETs TARIC:8542319000 典型关闭延迟时间:188 ns 典型接通延迟时间:33 ns 单位重量:38 g