制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-3PF-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:1.5 kVId-连续漏极电流:2.5 ARds On-漏源导通电阻:9 OhmsVgs th-栅源极阈值电压:3 VVgs - 栅极-源极电压:10 VQg-栅极电荷:29.3 nC工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:63 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:PowerMESH封装:Tube系列:STFW3N150 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET 商标:STMicroelectronics 正向跨导 - 值:2.6 S CNHTS:8541210000 下降时间:61 ns HTS Code:8541290095 MXHTS:85412101 产品类型:MOSFET 上升时间:47 ns 工厂包装数量:300 子类别:MOSFETs TARIC:8541210000 典型关闭延迟时间:45 ns 典型接通延迟时间:24 ns 单位重量:7 g