制造商:Qorvo产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管RoHS: 详细信息 晶体管类型:HEMT技术:GaN SiC增益:19 dB晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:28 VVgs-栅源极击穿电压 :100 VId-连续漏极电流:817 mA输出功率:24 W工作温度:- 40 C工作温度:+ 85 CPd-功率耗散:28.8 W安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-8封装:Tray配置:Single 工作频率:30 MHz to 1.215 GHz 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 系列:QPD 商标:Qorvo 开发套件:QPD1000PCB401, QPD1000PCB402 产品类型:RF JFET Transistors 工厂包装数量:100 子类别:Transistors