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深圳市中立信电子科技有限公司 > 新闻动态 > TGF2023-2-01 Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dBTGF2023-2-01 Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
发布时间： 2019/4/23 10:50:42 | 195 次阅读
制造商:Qorvo产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管RoHS: 详细信息 晶体管类型:HEMT技术:GaN SiC晶体管极性:N-Channel封装 / 箱体:Die封装:Gel Pack产品:RF JFET 系列:TGF 类型:GaN SiC HEMT 商标:Qorvo 产品类型:RF JFET Transistors 工厂包装数量:50 子类别:Transistors
