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深圳市中立信电子科技有限公司 > 新闻动态 > T1G2028536-FL Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaNT1G2028536-FL Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
发布时间： 2019/4/23 9:38:44 | 155 次阅读
制造商:Qorvo产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管RoHS: 详细信息 晶体管类型:HEMT技术:GaN SiC增益:20.8 dB晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:36 VVgs-栅源极击穿电压 :145 VId-连续漏极电流:24 A输出功率:260 W漏极/栅极电压:48 V工作温度:+ 275 CPd-功率耗散:288 W安装风格:SMD/SMT封装:Tray配置:Single 工作频率:2 GHz 产品:RF Power Transistor 系列:T1G 类型:GaN SiC HEMT 商标:Qorvo 产品类型:RF JFET Transistors 工厂包装数量:25 子类别:Transistors
