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深圳市中立信电子科技有限公司 > 新闻动态 > T2G6001528-SG Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaNT2G6001528-SG Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
发布时间： 2019/4/23 9:42:17 | 184 次阅读
制造商:Qorvo产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管RoHS: 详细信息 晶体管类型:HEMT技术:GaN SiC增益:15 dB晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:5 A输出功率:17 WPd-功率耗散:28 W安装风格:SMD/SMT封装:Tray配置:Single 工作频率:6 GHz 系列:T2G 商标:Qorvo 产品类型:RF JFET Transistors 工厂包装数量:100 子类别:Transistors
