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PMXB360ENEAZ Nexperia MOSFET 80 V, N-channel Trench MOSFET
发布时间： 2019/7/10 9:19:16 | 150 次阅读
制造商:Nexperia产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-1010D-3晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:80 VId-连续漏极电流:1.1 ARds On-漏源导通电阻:345 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:1.7 VVgs - 栅极-源极电压:20 VQg-栅极电荷:3 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:400 mW通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101封装:Cut Tape