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PMGD780SN,115 Nexperia MOSFET N-CH TRENCH DL 60V
发布时间： 2019/7/11 9:56:36 | 207 次阅读
制造商:Nexperia产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSSOP-6通道数量:2 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:490 mARds On-漏源导通电阻:780 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:20 V工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:410 mW配置:Dual通道模式:Enhancement封装:Cut Tape