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深圳市中立信电子科技有限公司 > 新闻动态 > TGF2965-SM Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32VTGF2965-SM Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
发布时间： 2019/4/23 10:55:02 | 242 次阅读
制造商:Qorvo产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管RoHS: 详细信息 晶体管类型:HEMT技术:GaN SiC增益:18 dB晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:32 VVgs-栅源极击穿电压 :- 2.7 VId-连续漏极电流:600 mA输出功率:6 W漏极/栅极电压:-工作温度:-工作温度:-Pd-功率耗散:7.5 W安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-16封装:Tray配置:Single 工作频率:30 MHz to 3 GHz 商标:Qorvo 正向跨导 - 值:- 闸/源截止电压:- 产品类型:RF JFET Transistors Rds On-漏源导通电阻:- 工厂包装数量:100 子类别:Transistors
