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深圳市中立信电子科技有限公司 > 新闻动态 > TGF3015-SM Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaNTGF3015-SM Qorvo 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
发布时间： 2019/4/23 11:00:32 | 163 次阅读
制造商:Qorvo产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型:HEMT技术:GaN SiC增益:17.1 dB晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:32 VVgs-栅源极击穿电压 :- 2.7 VId-连续漏极电流:557 mA输出功率:11 WPd-功率耗散:15.3 W安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-EP-16封装:Tray配置:Single 工作频率:0.03 GHz to 3 GHz 商标:Qorvo 开发套件:TGF3015-SM-EVB1 产品类型:RF JFET Transistors 工厂包装数量:100 子类别:Transistors
